磁控鍍膜機-磁控濺射種類(lèi)有哪些？

磁控鍍膜機-磁控濺射有很多種。它們有不同的工作原理和應用對象。但有一個(gè)共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)和電場(chǎng)的相互作用，電子會(huì )在靶表面盤(pán)旋，從而增加電子撞擊氬產(chǎn)生離子的概率。在電場(chǎng)的作用下，產(chǎn)生的離子與靶材表面發(fā)生碰撞，飛濺出靶材。

目標源可分為平衡型和非平衡型。平衡型靶源涂層均勻，非平衡型靶源涂層與基體附著(zhù)力強。平衡靶主要用于半導體光學(xué)薄膜，而非平衡靶主要用于裝飾膜的佩戴。根據磁場(chǎng)結構的分布，磁控管陰極大致可分為平衡磁控管陰極和非平衡磁控管陰極。平衡態(tài)磁控管陰極內外磁體的磁通量大致相等。兩極磁力線(xiàn)靠近靶面，將電子/等離子體限制在靶面附近，增加了碰撞概率，提高了電離效率。因此，輝光放電可以在較低的工作壓力和電壓下啟動(dòng)和維持，靶材的利用率較高。非平衡磁控濺射技術(shù)的概念是磁控陰極外極的磁通量大于內極的磁通量，而兩極磁力線(xiàn)在靶面上并不是完全閉合的。一些磁力線(xiàn)可以沿著(zhù)靶的邊緣延伸到基底區域，因此一些電子可以沿著(zhù)磁力線(xiàn)延伸到基底區域，從而增加基底區域的等離子體密度和氣體電離率，無(wú)論平衡或非平衡，如果磁鐵是靜止的，其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率不到30%。為了提高靶材的利用率，可以采用旋轉磁場(chǎng)。但旋轉磁場(chǎng)需要一個(gè)旋轉機構，濺射速率應降低。旋轉磁場(chǎng)主要用于大型或有價(jià)值的目標。如半導體薄膜濺射。對于小型設備和一般工業(yè)設備，通常采用磁性靜態(tài)目標源。

磁控管靶源濺射金屬及合金容易，點(diǎn)火、濺射方便。這是因為靶（陰極）、等離子體和飛濺的零件/真空腔可以形成一個(gè)回路。但如果陶瓷等絕緣體被濺射，電路就會(huì )斷開(kāi)。所以人們采用高頻電源，在電路中加入一個(gè)強電容。這樣，目標成為絕緣電路中的電容器。但是，高頻磁控濺射電源價(jià)格昂貴，濺射速率小，接地技術(shù)復雜，難以大規模使用。為了解決這個(gè)問(wèn)題，磁控反應濺射技術(shù)應運而生。即使用金屬靶，加入氬氣和氮氣或氧氣等反應氣體。當金屬靶與零件碰撞時(shí)，由于能量轉換，它與反應氣體結合形成氮化物或氧化物。磁控反應濺射絕緣體看似簡(jiǎn)單，但實(shí)際操作起來(lái)卻很困難。主要問(wèn)題是反應不僅發(fā)生在零件表面，而且發(fā)生在陽(yáng)極、真空室和靶源表面。德國雷寶發(fā)明的雙靶技術(shù)很好地解決了這一問(wèn)題。其原理是一對靶源相互連接，使陽(yáng)極表面氧化或氮化。

冷卻對于所有的能源（磁控管、多弧、離子）都是必要的，因為大部分的能量都轉化為熱能。如果沒(méi)有冷卻或冷卻不足，熱量會(huì )使目標源的溫度達到1000度以上，從而使整個(gè)目標源熔化。